那些另一个关键问题是开发用于自动装配一维电池的连续生产线。

（1）在导电基底上生长对于非原位制备策略，逃离首先合成具有高反应活性面的半导体晶体是重要的。北京读者可以参考最近的评论文章以获得更多信息。

[5]（2）氧化还原位点由于半导体晶体的表面能带边缘位置具有各向异性，人都过因此可以在不同的平面间合理地形成能带，人都过即表面异质结，其中光生电子和空穴被分离在不同的平面内，用于随后的氧化还原反应。图2.在半导体/电解液界面，那些暗态和光照下的带弯[1]电荷转移也发生在半导体/电解质界面，直到平衡建立。特别是，逃离具有可控纳米晶面取向的半导体光电极可以极大地影响电荷转移/分离过程，逃离因为具有选择性晶面曝露的半导体由于不同晶面中原子的配位和构型的不同而表现出独特的电子和光学特性。

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因此，那些在自然条件或平衡条件下得到的半导体晶体通常暴露较低表面能的反应面，这不利于太阳能的转化。

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